Tiristore a commutazione rapida

Descrizione:

Tiristore a commutazione rapida, con la stessa struttura e simbolo del tiristore a controllo di fase, mentre le migliori caratteristiche statiche, in particolare le caratteristiche dinamiche sono richieste dall'applicazione ad alta frequenza del circuito di rettifica, taglio, inverter e conversione di frequenza.I parametri dinamici del tiristore veloce sono la velocità di accensione rapida e la velocità di espansione di accensione, minore carica di recupero inverso e breve tempo di spegnimento, elevata velocità di aumento critica della corrente nello stato attivo (di/dt) e velocità critica di aumento della tensione a vuoto (dv/dt).La corrente nominale del tiristore veloce all'interno della frequenza nominale non diminuisce o diminuisce leggermente all'aumentare della frequenza.

Lo standard di produzione di tiristori a commutazione rapida e la tecnologia di elaborazione di RUNAU Electronics sono stati introdotti dagli Stati Uniti dagli anni '80, come pioniere della produzione di tiristori in Cina, il team tecnico di RUNAU aveva acquisito le conoscenze all'avanguardia e un'ampia esperienza di produzione per oltre 30 anni.Sulla base del processo di produzione tradizionale, i tecnici di talento di RUNAU Electronics hanno sviluppato la tecnologia all'avanguardia nella produzione di tiristori con caratteristiche vantaggiose dei prodotti europei, la qualità e le prestazioni sono notevolmente migliorate, più grandi vittorie ottenute nelle applicazioni di elettronica di potenza, e più valore è stato creato per i partner.

Introduzione:

1. Chip

Il chip a tiristori prodotto da RUNAU Electronics utilizza una tecnologia di lega sinterizzata.Il wafer di silicio e molibdeno è stato sinterizzato per la legatura con alluminio puro (99,999%) in condizioni di alto vuoto e alta temperatura.La somministrazione delle caratteristiche di sinterizzazione è il fattore chiave per influenzare la qualità del tiristore.Il know-how di RUNAU Electronics oltre a gestire la profondità della giunzione della lega, la planarità della superficie, la cavità della lega e l'abilità di diffusione completa, il modello del cerchio dell'anello, la struttura speciale del cancello.Anche l'elaborazione speciale è stata impiegata per ridurre la durata della portante del dispositivo, in modo che la velocità di ricombinazione della portante interna sia notevolmente accelerata, la carica di recupero inverso del dispositivo sia ridotta e la velocità di commutazione sia migliorata di conseguenza.Tali misurazioni sono state applicate per ottimizzare le caratteristiche di commutazione rapida, le caratteristiche dello stato attivo e la proprietà della corrente di picco.Le prestazioni e l'operazione di conduzione del tiristore sono affidabili ed efficienti.

2. Incapsulamento

Con un rigoroso controllo della planarità e del parallelismo del wafer di molibdeno e del pacchetto esterno, il chip e il wafer di molibdeno saranno integrati strettamente e completamente con il pacchetto esterno.Ciò ottimizzerà la resistenza della corrente di picco e l'elevata corrente di cortocircuito.E la misurazione della tecnologia di evaporazione elettronica è stata impiegata per creare uno spesso film di alluminio sulla superficie del wafer di silicio, e lo strato di rutenio placcato sulla superficie di molibdeno migliorerà notevolmente la resistenza alla fatica termica, la durata del tiristore a commutazione rapida sarà aumentata in modo significativo.

Specifica tecnica

1. Tiristore a commutazione rapida con chip in lega prodotto da RUNAU Electronics, gamma di I_TAVda 200A a 4000A e V_DRM/V_RRMda 1200V a 4500V.
2. I_GT, v_GTe io_Hsono i valori di prova a 25℃, se non diversamente specificato, tutti gli altri parametri sono i valori di prova sotto T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= larghezza della base della corrente a semionda sinusoidale.A 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. A 60Hz: I_FSM(8,3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;IO²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parametro: